أفادت وسائل الإعلام الكورية بأن نوعًا جديدًا من الذاكرة المتغيرة الطور للذكاء الاصطناعي، التي تستطيع التحكم في الحرارة أثناء عملية التخزين وتقليل استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 76% مقارنة بالمستويات الحالية، قد تم تطويره بنجاح. تعتمد الذاكرة المتغيرة الطور على اختلاف المقاومة بين الحالة البلورية والحالة غير البلورية لتخزين المعلومات، وهي نوع من الذاكرة غير المتطايرة، وتتميز بسرعة التشغيل وقدرتها على تخزين معلومات متعددة في وحدة واحدة، وتعتبر حلاً تخزينًا من الجيل التالي في مجالات الذكاء الاصطناعي والحوسبة داخل الذاكرة.
أعلنت مؤسسة الأبحاث الوطنية الكورية في 11 سبتمبر أن فريق الأستاذ كيم جيان سو من قسم الهندسة الكهربائية والإلكترونية بجامعة كوريا قد نجح في تحقيق “ذاكرة هيكلية مزدوجة العزل ذات الطور المتغير”، من خلال دمج مادتين مختلفتين في الخصائص، مما يسمح بالتحكم التدريجي في انتشار الحرارة داخل الذاكرة ومنطقة الطور المتغير. وقد تم نشر هذه النتائج على الإنترنت في المجلة الأكاديمية الدولية “International Journal of Extreme Manufacturing” (التصنيع المتطرف).
تقنية الذاكرة المتغيرة الطور الجديدة تقلل بشكل ملحوظ من استهلاك الطاقة
مع الزيادة الهائلة في كمية البيانات الناتجة عن الذكاء الاصطناعي التوليدي والنماذج اللغوية الكبيرة، أصبحت الذاكرة المتغيرة الطور محل اهتمام واسع كبديل للتخزين الحالي. ومع ذلك، تعاني الذاكرة المتغيرة الطور التقليدية من عائق جوهري: الحرارة الناتجة أثناء كتابة البيانات تنتشر إلى المحيط، مما يؤدي إلى إهدار الطاقة وصعوبة التحكم الدقيق في منطقة الطور المتغير. والأكثر تعقيدًا هو أن المواد ذات الجهد المنخفض غالبًا ما تكون ذات مقاومة حرارية ضعيفة، بينما تحتاج المواد المقاومة للحرارة إلى جهد عالي، مما يخلق تناقضًا يصعب التوفيق بينه.
قدم فريق البحث هيكلًا جديدًا، حيث تم ترتيب مادتين من مركبات المعادن الانتقالية الكبريتية، NiTe₂ و MoTe₂، في الجهاز بحيث يمكن لكل منهما الحفاظ على الحالة البلورية أثناء التشغيل. حيث تلعب NiTe₂ دور طبقة نقل الحرارة، حيث يمكنها إنتاج ونقل الحرارة بكفاءة حتى عند جهد منخفض؛ بينما تعمل MoTe₂ كطبقة عازلة للحرارة، مما يعيق انتشار الحرارة إلى الخارج. بفضل هذا التصميم، تمكن الفريق من تخطيط مسارات الحركة الحرارية داخل الذاكرة بشكل مستقل، مما يتيح التحكم الدقيق في موقع ونطاق حدوث الطور المتغير.
أظهرت نتائج التجارب أن هذا الهيكل يسمح بتصميم مسارات تدفق الحرارة داخل الذاكرة حسب الحاجة، مما أدى في النهاية إلى تقليل استهلاك الطاقة أثناء التشغيل بنسبة 76% مقارنة بالحلول الحالية، وزيادة متانة الجهاز (أي عدد مرات التشغيل الممكنة) بنسبة 110%.
| البند | المواصفات |
|---|---|
| تقليل استهلاك الطاقة | 76% |
| زيادة المتانة | 110% |