Qualcomm نائب الرئيس العالمي Durga Malladi كشف في مؤتمر “دويتشه بنك للتكنولوجيا 2026” الذي أقيم في 26 أغسطس بالتوقيت المحلي، أن Qualcomm تتعاون بشكل وثيق مع Samsung للإلكترونيات وSK Hynix، عملاقتي التخزين، لدفع إنتاج شرائح الحوسبة عالية النطاق (HBC، High Bandwidth Compute) نحو التجارية. تُعتبر Qualcomm HBC حلاً من الجيل الجديد لمعالجة اختناقات القدرة الحاسوبية واستهلاك الطاقة في الذكاء الاصطناعي الحالي. على عكس التصميم التقليدي الذي يربط بين GPU وHBM (ذاكرة عالية النطاق) بشكل أفقي، تنتمي HBC إلى تقنية NMC (حوسبة الذاكرة) القريبة، حيث تستخدم تقنية TSV (فتحات السيليكون العمودية) لتكديس عدة شرائح DRAM منخفضة الطاقة عمودياً وترتيبها مباشرة فوق
XPU (شرائح التسريع). كانت Qualcomm قد أشارت في يونيو من هذا العام إلى أن GPU التقليدي وHBM ينتجان حرارة واستهلاك طاقة هائلين خلال تبادل البيانات المتكرر، بينما تم تطوير HBC لسد هذه الثغرة الهيكلية.
في هذه الشراكة، تم تحديد تقسيم واضح للأدوار بين الأطراف الثلاثة: تتولى Qualcomm تطوير شرائح الحوسبة الأساسية وتصميم حلول TSV؛ بينما تتولى Samsung للإلكترونيات وSK Hynix مسؤولية تقنيات تكديس شرائح DRAM العليا؛ بينما يتم تكليف TSMC بدمج وتغليف الوحدة التقنية النهائية. فيما يتعلق بإيقاع طرح المنتج، أشار Durga Malladi إلى أن الجيل الأول من منتجات HBC من المقرر أن يُطرح تجارياً في عام 2027، وقد دخل حالياً مرحلة التحقق في المختبر.
إشعار بالمصالح: تحتوي هذه المقالة على روابط لمنتجات تجارية، إذا قمت بالشراء من خلال الروابط، قد تحصل TechRitual على عمولة، ولكن ذلك لا يؤثر على تقييم المنتج أو التوصية. لمزيد من التفاصيل، يرجى الاطلاع على سياسة الخصوصية.