Samsung في السنوات الأخيرة تحت ضغط تكاليف الطاقة في خوادم ومراكز البيانات، تسارع في دفع خطوط إنتاج HVAC الجديدة، حيث تخطط لإنشاء مصنع تصنيع بمساحة 21,500 متر مربع في غوانغجو، كوريا الجنوبية، ومن المتوقع أن يكتمل بحلول نهاية عام 2028، باستثمار يصل إلى 158 مليون دولار أمريكي. هذه الخطوط الإنتاجية الجديدة، التي تركز على FläktGroup، ستقوم بإنتاج أنظمة التبريد بكميات كبيرة، لتوفير حلول تبريد حاسمة لمراكز البيانات الخاصة بالذكاء الاصطناعي، كما تعكس أن HVAC سيكون المحرك الرئيسي لنمو Samsung في المستقبل. مع صعود الذكاء الاصطناعي عالميًا، تتوسع أحجام مجموعات الخوادم باستمرار، وتزداد المنافسة بين متطلبات التبريد وكفاءة الطاقة بشكل متزايد، وهذا الخيار الاستثماري يتماشى تمامًا مع النقاط المؤلمة الحالية.
FläktGroup هي رائدة في حلول التدفئة والتهوية وتكييف الهواء على مستوى العالم، وقد تم الاستحواذ عليها من قبل Samsung العام الماضي بمبلغ حوالي 1.6 مليار دولار، مما جعلها واحدة من أكبر عمليات الاستحواذ لشركة Samsung في العقد الماضي. هذه العلاقة يمكن أن تعزز التعاون بين الطرفين في تقنيات التبريد، وتدفق الهواء، ومواد كفاءة الطاقة، مما يشير إلى طموح Samsung طويل الأمد في دمج تصنيع الرقائق وحلول التبريد على مستوى النظام. كما أن مشروع المصنع الجديد يظهر التزام Samsung بالاستثمار طويل الأمد في نظام HVAC، على أمل الحفاظ على إمدادات مستقرة وتحكم في التكاليف في ظل الطلب العالي على الطاقة من خوادم الذكاء الاصطناعي.
في الوقت نفسه، لم يتراجع اهتمام السوق بتقنيات التصنيع المتقدمة وتقنيات الطباعة الضوئية. تشير أحدث التقارير إلى أن Samsung Foundry كانت تخطط في الأصل لاستخدام آلات الطباعة الضوئية High-NA EUV في عمليات التصنيع 2nm و1.4nm، لكنها قررت في الوقت الحالي تأجيل الجدول الزمني التجاري، واستخدام 0.33 NA EUV مع نمط متعدد كحل انتقالي. تهدف هذه الاستراتيجية إلى تقليل مخاطر الاستثمار الأولي، وزيادة العائد، ودمج تقنيات التعبئة المتقدمة وتقنيات ربط الرقائق تدريجيًا، مما يسهل تحقيق الأهداف طويلة الأمد لكثافة عالية واستهلاك منخفض للطاقة.
في الوقت نفسه، تكلفة آلة High-NA EUV الواحدة تتراوح بين 350 مليون دولار إلى 400 مليون دولار، مما يشكل ضغطًا رأسماليًا طويل الأمد على عمالقة تصنيع الرقائق العالميين. تتباين مسارات العديد من شركات الرقائق بما في ذلك Intel وTSMC: حيث قامت Intel بتجربة High-NA EUV في بعض مستويات 2nm، ودفع تقنيتها الخاصة بالتعبئة والاتصال بين الرقائق؛ بينما تركز TSMC على البحث والتطوير والتطبيق التجاري الأولي، ومن المتوقع أن تبدأ في الاستخدام التجاري الكامل حوالي عام 2029 إلى 2030. تشير هذه الاتجاهات إلى أن عناصر النظام البيئي والتعبئة والمواد لم تنضج بعد، وأن تكاليف وكفاءة الطاقة لمراكز البيانات والخوادم العالمية ستحتاج إلى وقت وتعاون لتحسينها في المستقبل.
فيما يتعلق بدمج الذاكرة والمعالج، على الرغم من أن تقنيات التكديس عالية الكثافة مثل zHBM لم تتزامن بعد مع High-NA EUV، إلا أن الأفكار المتعلقة بالتكامل على مستوى النظام التي تقدمها قد تصبح دافعًا جديدًا لتحسين أداء وكفاءة الطاقة للخوادم السحابية والتجارية. إذا تمكنت Samsung من دمج تقنيات التعبئة الجديدة في مراحل تصميم 2nm و1.4nm، ومن خلال تحسين التواصل بين الرقائق، فمن المتوقع أن يحدث تحسن كبير في أداء وكفاءة الطاقة العامة للخوادم الخاصة بالذكاء الاصطناعي.
بناءً على المعلومات المتاحة، يظهر مسار تطوير Samsung استراتيجية “الانتقال المستقر”: باستخدام قاعدة EUV المستقرة مع نمط متعدد، والتقدم تدريجيًا في التعاون بين التعبئة والنظام البيئي، للحفاظ على القدرة التنافسية طويلة الأمد في تكاليف التصنيع العالمية، والعائد، ومخاطر سلسلة التوريد. بالنسبة للمستثمرين والعملاء، سيكون النظام البيئي المفتوح، والتصميم المخصص، والفوائد طويلة الأمد من التكاليف عوامل حاسمة في السنوات القادمة.
مصدر إضافي: توفر المعلومات الخلفية مساعدة لفهم التفاعل بين تقنيات التصنيع المتقدمة، وتقنيات الذاكرة، والتكاليف وسلسلة التوريد، وتقدم منظورًا أكثر شمولاً.
إفصاح عن المصالح: قد تحتوي هذه المقالة على روابط لمتاجر شريكة، وإذا قمت بالشراء من خلال الروابط، قد يحصل ناشر المقالة على عمولة، لمزيد من التفاصيل يرجى مراجعة سياسة الخصوصية.
تكاليف، عوائد، ونظام بيئي لخطوط التصنيع المتقدمة: مقارنة بين Samsung وIntel وTSMC وآفاقها
حتى بدون حساب الإنتاج الضخم، فإن استثمار High-NA EUV له تأثير عميق على النظام البيئي الصناعي بأكمله. تحاول Samsung وIntel وTSMC تحمل التكاليف العالية ومخاطر التقنية، لكن كل منها تسلك مسارًا مختلفًا: تركز Samsung على 0.33 NA EUV، مع نمط متعدد، ساعية لتحقيق استقرار خطوط الإنتاج وزيادة العائد بتكاليف ومخاطر أكثر تحفظًا؛ بينما تختار Intel تجربة High-NA EUV في بعض مستويات 2nm، ودفع تقنيتها الخاصة بالتعبئة، مما يجعل المخاطر والعوائد أعلى نسبيًا؛ بينما تركز TSMC حاليًا على البحث والتطوير، ومن المتوقع أن تبدأ في الاستخدام التجاري الكامل حوالي عام 2029 إلى 2030. هذه المسارات تظهر أن عمليات التصنيع المتقدمة العالمية تمر بفترة انتقالية من البحث إلى الإنتاج الضخم.
فيما يتعلق بالتكاليف وسلسلة التوريد، فإن القيمة الكبيرة لآلات الطباعة الضوئية المتقدمة تدفع الشركات الكبرى إلى أن تكون أكثر حذرًا في تخصيص رأس المال. اختارت Samsung في تصميماتها 2nm و1.4nm استخدام 0.33 NA EUV مع نمط متعدد أولاً، واستخدام تقنيات التعبئة المتقدمة وتقنيات ربط الرقائق كوسائل لزيادة الكفاءة على المدى الطويل. إذا تم استخدام تقنيات الذاكرة الجديدة مثل zHBM على نطاق واسع، فإن ذلك سيساهم في إعادة تعريف التكاليف والأداء للخوادم السحابية والتجارية.
مصدر إضافي: توفر المعلومات الخلفية مساعدة لفهم التفاعل بين التكاليف، والعوائد، وسلسلة التوريد، والنظام البيئي، واستراتيجيات الشركات الكبرى في دفع تقنيات جديدة.
المحتوى أعلاه هو تجميع للمعلومات الأساسية للمقالة الجديدة، وسيتم تحديثه في حالة وجود تحديثات رسمية.