وفقًا لتقارير وسائل الإعلام الخارجية، تخطط Samsung لتعديل استخدام خط NRD-K 2، حيث ستقوم بتحويله من منشأة بحث وتطوير إلى خط إنتاج لأشباه الموصلات، مع التركيز على إنتاج الشرائح الأساسية المطلوبة لذاكرة النطاق العريض من الجيل التالي (HBM) بحجم 2 نانومتر. يُعتبر هذا الإجراء بمثابة استعداد مبكر من Samsung لتلبية الطلب المتزايد على HBM من عملائها مثل إنفيديا.
وفقًا لمعلومات من CNMO، يُعتبر NRD-K منطقة جديدة لتطوير أشباه الموصلات التي تبنيها Samsung في كوريا، حيث تخطط لاستثمار حوالي 200 تريليون وون كوري (حوالي 95.4 مليار يوان) حتى عام 2030، لإنشاء 3 خطوط إنتاج. من المتوقع أن يتم الانتهاء من الخط الأول بحلول نهاية عام 2024، بينما بدأ التحضير لبناء الخط الثاني هذا العام، والذي لا يزال في مرحلة ترتيب الموقع وأعمال البناء الأساسية.
تخطط Samsung لبدء الإنتاج في خط NRD-K 2 في النصف الثاني من عام 2028
وفقًا للخطة الأخيرة، قد يُستخدم خط NRD-K 2 كخط إنتاج لأشباه الموصلات “Send-Fab”. هذه الطريقة لا تتولى جميع عمليات تصنيع الشرائح بالكامل، بل تستقبل الشرائح من خطوط الإنتاج الأخرى وتتحمل جزءًا من العمليات المحددة، لتعزيز قدرة الإنتاج في العمليات المتقدمة. تشير التقارير إلى أن Samsung تركز حاليًا على إنتاج الشرائح الأساسية بحجم 2 نانومتر لـ إنفيديا في هذا الموقع.
قال شخص مطلع على هذا العمل: “تسعى Samsung Electronics لتحقيق هدف بدء الإنتاج في النصف الثاني من عام 2028، وقد حددت استخدام خط NRD-K 2 كخط إنتاج لأشباه الموصلات. نظرًا لأن حجم مصنع NRD-K 2 صغير نسبيًا، سيتم استخدام نموذج “مصنع الشرائح الصغيرة”، مما سيساعد على توسيع قدرة إنتاج أشباه الموصلات المتطورة.”
من المهم ملاحظة أن المصنع يحتاج إلى عامين آخرين ليكتمل، ولا يزال استخدام خط NRD-K 2 غير مؤكد، ولا تزال هناك إمكانية للتغيير.
إعلان عن المصالح: تحتوي هذه المقالة على روابط لمنتجات تجارية، وإذا قمت بالشراء من خلال الروابط، قد تحصل TechRitual على عمولة، ولكن ذلك لا يؤثر على تقييم المنتجات أو التوصيات. لمزيد من التفاصيل، يرجى مراجعة سياسة الخصوصية.